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半电流igbt是一种新型的功率半导体器件,具有快速导通、高速关断的特点。广东1200v igbt。其具体性能包括高耐压能力(高650v)、低饱和电压和---的热稳定性等优点使其在强电领域有着广泛的应用前景.
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