650v igbt设计思路-巨光微视-安徽650v igbt

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    2023-12-31

武恒
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半电流igbt批发

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该图片显示了一个具有金属氧化物半导体场效应的i-p型mosfet结构体和n沟道mos体的结合部构成的三端元件体内有透明的硅芯片部件以及在左侧引出电极上接有小型的散热片状物体的一侧视图;在该图的下方部分还附带了按照箭头方向连接有一条红色的导线且连接到小型铝质基座上的黑色线夹作为外部信号输入端口以控制内部驱动ic进行开通关断动作的结构配置信息说明提示内容为“blockdiagram”。




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