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trenchmos是一种半导体器件,通常用于电子设备中。它的工作原理是基于mos(金属-氧化物semiconductor)结构中的电场效应效应来控制电流的流动方向和大小变化的过程。
在trenchedmosfet的结构设计中,栅极与源、漏电极被沟槽所分隔.当有反向电压加到该元件上时则呈现高阻抗特性(offstate),而当正向偏压施加的电源经由p型区域流入n+区而产生导通现象.在这种状态下可以允许较多的载流子通过并进而达到较高的输出功率以及效率等优点.

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