




大电流igbt(insulated-gatebipolartransistor)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。它具有较高的开通能力和---的关断特性,能够在大容量电气系统中实现电能转换和控制功能。。
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半电流igbt是一种新型的功率半导体器件,具有体积小、重量轻和等优点。它的工作原理是基于p型金属-氧化物—硅(mos)场效应晶体管和大容量绝缘栅双极性晶体管的组合体特性而设计的;当加在两个门极之间的电压达到一定数值时,其c*结被夹持形成电容器短路通道而有较大导通能力[1]。

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