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半电流igbt是一种新型的功率半导体器件，捷捷igbt介绍，具有体积小、重量轻和等优点。它的工作原理是基于p型金属-氧化物—硅（mos）场效应晶体管和大容量绝缘栅双极性晶体管的组合体特性而设计的；当加在两个门极之间的电压达到一定数值时，其c*结被夹持形成电容器短路通道而有较大导通能力[1]。
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