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半电流igbt是一种新型的功率半导体器件,具有较高的开通能力。它由一个p型门极和n型基区组成,并在其上形成多个二维子结(jt结构)。当施加一定的工作电压时,载流子在jtp区域的源区和漏区的电场中加速---并撞击漂移通道中的中性原子,使其获得足够的动能而离开该区域;这样就在pnpnpn中建立了正反馈作用下的自激导电振荡过程。

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